使用溫度對(duì)金錫焊點(diǎn)的影響-深圳福英達(dá)
使用溫度對(duì)金錫焊點(diǎn)的影響-深圳福英達(dá)
在最近幾十年對(duì)可靠的高溫電子設(shè)備的需求迅速增長(zhǎng)，主要集中在航空航天，功率電器，軍工設(shè)備等應(yīng)用。這些高溫電子設(shè)備的使用對(duì)焊點(diǎn)的強(qiáng)度和穩(wěn)定性的有著極高的要求。碳化硅(SiC)是一種適應(yīng)高溫的材料，通常被認(rèn)為是首選的高溫應(yīng)用半導(dǎo)體。Au-Sn固液互擴(kuò)散(SLID)是一種能用于高溫鍵合的技術(shù)。該技術(shù)往往會(huì)用到共晶金錫錫膏，金錫錫膏能夠?qū)⑿酒c基板在280℃或更高的溫度鍵合且焊點(diǎn)可靠性高。然而電子設(shè)備的使用溫度通常會(huì)對(duì)焊點(diǎn)帶來不同影響，因此金錫焊點(diǎn)的強(qiáng)度也需要進(jìn)一步觀察。
Tollefsen等人在室溫，100°C，200°C和300°C下對(duì)四個(gè)Au-Sn SLID樣本組進(jìn)行剪切力測(cè)試，每個(gè)樣本組包含六個(gè)樣本。剪切力測(cè)試條件是在基板上方施加110μm測(cè)試高度和10μm/s的測(cè)試速度。
圖1顯示了芯片剪切強(qiáng)度和使用溫度的關(guān)系。從圖中可以看出剪切強(qiáng)度與使用溫度呈現(xiàn)負(fù)相關(guān)關(guān)系。當(dāng)使用溫度在100℃以下時(shí)，芯片剪切強(qiáng)度隨溫度升高下降幅度較小，從約140 MPa下降到約130 MPa。這是由于增加的熱能會(huì)在一定程度上降低化學(xué)結(jié)合能并導(dǎo)致芯片焊點(diǎn)出現(xiàn)熱軟化。然而，當(dāng)使用溫度從100°C上升到200°C，芯片剪切強(qiáng)度顯著降低至60 MPa左右。在300°C時(shí)剪切強(qiáng)度繼續(xù)下降，降至20 MPa左右，低于室溫下剪切強(qiáng)度的15%。
圖1. 不同使用溫度下Au-Sn SLID樣品的芯片剪切強(qiáng)度。
下圖顯示了在室溫和300°C下剪切測(cè)試的Au-Sn SLID樣品斷裂表面?？梢园l(fā)現(xiàn)隨著溫度的升高，斷裂模式由粘結(jié)型Au/Ni和內(nèi)聚型ζ相/SiC斷裂轉(zhuǎn)變?yōu)橐詢?nèi)聚型ζ相斷裂為主。這表明剪切強(qiáng)度的大幅度降低源于Au-Sn-SLID鍵的弱化。
圖2. 室溫和300℃下Au-Sn SLID樣品的斷裂表面。
深圳市福英達(dá)有著專業(yè)的高溫錫膏研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，能夠?yàn)榭蛻籼峁﹥?yōu)質(zhì)的金錫錫膏用于高溫焊接需求。福英達(dá)金錫錫膏有著粘度穩(wěn)定，殘留物少，焊點(diǎn)強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)，歡迎客戶與我們進(jìn)行深入合作。
Tollefsen, T.A., L?vvik, O.M., Aasmundtveit, K. et al. (2013). Effect of Temperature on the Die Shear Strength of a Au-Sn SLID Bond. Metall Mater Trans A 44, 2914–2916.
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